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GermanyR6009JNJGTL
元器件型号详细信息
原厂型号
R6009JNJGTL
摘要
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 9A（Tc） 125W（Tc） LPTS
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
585 毫欧 @ 4.5A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
7V @ 1.38mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
645 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LPTS
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
R6009
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
R6009JNJGTLCT
R6009JNJGTLDKR
R6009JNJGTLTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor R6009JNJGTL
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