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Germany2SJ360(F)
元器件型号详细信息
原厂型号
2SJ360(F)
摘要
MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 1A（Ta） 500mW（Ta） PW-MINI
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
730 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
155 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PW-MINI
封装/外壳
TO-243AA
基本产品编号
2SJ360
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(F)
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