IRF630NSTRLPBF

元器件型号详细信息

原厂型号

IRF630NSTRLPBF

摘要

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 200 V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

800

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

9.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

300 毫欧 @ 5.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

35 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

575 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

82W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D2PAK

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IRF630

其它名称

SP001564548

INFINFIRF630NSTRLPBF

IRF630NSTRLPBFCT

IRF630NSTRLPBFDKRINACTIVE

IRF630NSTRLPBFDKR

IRF630NSTRLPBFTR

IRF630NSTRLPBFDKR-ND

2156-IRF630NSTRLPBFINF

IRF630NSTRLPBF-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF630NSTRLPBF

价格

数量: 5600

单价: $5.2685
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800

数量: 2400

单价: $5.5458
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800

数量: 1600

单价: $5.94192
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800

数量: 800

单价: $7.52646
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800

数量: 100

单价: $9.111
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.686
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $13.04
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IRF630SPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 700
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 类似

型号 : IRF630STRRPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 类似

型号 : STB19NF20

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥16.46000
替代类型. : 类似

型号 : IRF630STRLPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 94
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 类似

型号 : RCJ120N20TL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 33
单价. : ¥10.33000
替代类型. : 类似

FTSH-107-02-LM-DH-A 7-2266784-7 TR3A475K010C1400 ERB32Q5C2H7R0CDX1L CPS22-NO00A10-SNCCWTNF-AI0GBVAR-W1009-S

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