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GermanyIRLB3036GPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLB3036GPBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
详情
通孔 N 通道 60 V 195A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 165A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
140 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11210 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
380W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLB3036GPBF
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规格书
1(IRLB3036GPbF)
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HTML 规格书
1(IRLB3036GPbF)
价格
-
替代型号
型号 : IRLB3036PBF
制造商 : Infineon Technologies
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单价. : ¥34.26000
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制造商 : onsemi
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型号 : PSMN2R0-60PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
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