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GermanySPB03N60S5ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPB03N60S5ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 135µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
420 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
38W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
SPB03N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SPB03N60S5INDKR-ND
SPB03N60S5ATMA1TR
SPB03N60S5INDKR
SPB03N60S5INCT
SPB03N60S5
SP000012341
SPB03N60S5INTR
SPB03N60S5INCT-ND
SPB03N60S5XT
SPB03N60S5-ND
SPB03N60S5ATMA1DKR
SPB03N60S5ATMA1CT
SPB03N60S5INTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPB03N60S5ATMA1
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价格
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