English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFGA50N100BNTTU
元器件型号详细信息
原厂型号
FGA50N100BNTTU
摘要
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
详情
IGBT NPT 和沟道 1000 V 50 A 156 W 通孔 TO-3P
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.9V @ 15V，60A
功率 - 最大值
156 W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
257 nC
25°C 时 Td（开/关）值
34ns/243ns
测试条件
600V，60A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
基本产品编号
FGA50
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGA50N100BNTTU
相关文档
规格书
1(FGA50N100BNT)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 27/Feb/2012)
HTML 规格书
1(FGA50N100BNT)
EDA 模型
1(FGA50N100BNTTU by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : GT50N322A
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 98
单价. : ¥39.11000
替代类型. : 直接
库存 : 98
单价. : ¥39.11000
替代类型. : 直接