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GermanyIPB180N10S402ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB180N10S402ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-7-3
封装/外壳
TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
基本产品编号
IPB180
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPB180N10S402ATMA1DKR
IPB180N10S402ATMA1CT
IPB180N10S402ATMA1-ND
IPB180N10S402ATMA1TR
SP001057184
INFINFIPB180N10S402ATMA1
2156-IPB180N10S402ATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB180N10S402ATMA1
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规格书
1(IPB180N10S4-02)
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev Assembly Chg 4/Oct/2018)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
仿真模型
1(OptiMOS-T2-100V-Spice Model)
价格
数量: 2000
单价: $27.409
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $28.46319
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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替代型号
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