元器件型号详细信息

原厂型号
SIR681DP-T1-RE3
摘要
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
详情
表面贴装型 P 通道 80 V 17.6A(Ta),71.9A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
88 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen IV
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17.6A(Ta),71.9A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11.2毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
105 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4850 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
6.25W(Ta),104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SIR681

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIR681DP-T1-RE3

相关文档

规格书
1(SiR681DP)
HTML 规格书
1(SiR681DP)
EDA 模型
1(SIR681DP-T1-RE3 by Ultra Librarian)

价格

数量: 3000
单价: $9.36302
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $10.05662
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.13726
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $14.7727
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $18.379
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $20.43
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $10.05662
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.13726
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $14.7727
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $18.379
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $20.43
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : QH8KA4TCR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 23,110
单价. : ¥8.51000
替代类型. : 类似