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GermanyFCPF600N65S3R0L-F154
元器件型号详细信息
原厂型号
FCPF600N65S3R0L-F154
摘要
POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
详情
通孔 N 通道 650 V 6A（Tc） 24W（Tc） TO-220F-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
SuperFET® III
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
465 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
24W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FCPF600
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-FCPF600N65S3R0L-F154CT
488-FCPF600N65S3R0L-F154TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCPF600N65S3R0L-F154
相关文档
规格书
1(FCPF600N65S3R0L-F154)
环保信息
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价格
数量: 1000
单价: $11.21416
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 500
单价: $13.53432
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $16.4731
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $22.82
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : SIHA6N65E-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,000
单价. : ¥16.22000
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