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GermanySTB4NK60Z-1
元器件型号详细信息
原厂型号
STB4NK60Z-1
摘要
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
详情
通孔 N 通道 600 V 4A（Tc） 70W（Tc） I2PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
510 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
70W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
STB4NK60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-497-12536-5
497-12536-5
STB4NK60Z-1-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB4NK60Z-1
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规格书
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产品培训模块
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PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013)
PCN 封装
1(Box Label Chg 28/Jul/2016)
HTML 规格书
1(STx4NK60Z(FP,-1))
EDA 模型
1(STB4NK60Z-1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 2000
单价: $3.28152
包装: 管件
最小包装数量: 2000
包装: 管件
最小包装数量: 2000
替代型号
型号 : STI24NM60N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 987
单价. : ¥41.50000
替代类型. : 直接
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替代类型. : 直接