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GermanyMRF8S18120HSR3
元器件型号详细信息
原厂型号
MRF8S18120HSR3
摘要
FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S
详情
RF Mosfet 28 V 800 mA 1.81GHz 18.2dB 72W NI-780S
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
250
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
LDMOS
频率
1.81GHz
增益
18.2dB
电压 - 测试
28 V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
800 mA
功率 - 输出
72W
电压 - 额定
65 V
安装类型
底座安装
封装/外壳
NI-780S
供应商器件封装
NI-780S
基本产品编号
MRF8
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
5A991G
HTSUS
8541.29.0075
其它名称
MRF8S18120HSR3CT
935310108128
MRF8S18120HSR3-ND
MRF8S18120HSR3DKR
MRF8S18120HSR3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/RF FET，MOSFET/NXP USA Inc. MRF8S18120HSR3
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规格书
1(MRF8S18120HR3/HSR3)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 13/Apr/2018)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(MRF8S18120HR3/HSR3)
价格
-
替代型号
型号 : A2T18S166W12SR3
制造商 : NXP USA Inc.
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