元器件型号详细信息

原厂型号
SSM6N16FE,L3F
摘要
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
详情
MOSFET - 阵列 20V 100mA(Ta) 150mW(Ta) 表面贴装型 ES6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9.3pF @ 3V
功率 - 最大值
150mW(Ta)
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
ES6
基本产品编号
SSM6N16

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

SSM6N16FE,L3F(B
SSM6N16FEL3FCT
SSM6N16FEL3FTR
SSM6N16FEL3FDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE,L3F

相关文档

规格书
1(SSM6N16FE)
EDA 模型
1(SSM6N16FE,L3F by Ultra Librarian)

价格

数量: 200000
单价: $0.35258
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 8000
数量: 56000
单价: $0.36635
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 8000
数量: 24000
单价: $0.41318
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 8000
数量: 16000
单价: $0.44073
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 8000
数量: 8000
单价: $0.49582
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 8000
数量: 2000
单价: $0.55091
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $0.63358
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $0.82644
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $1.2481
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $2.202
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $2.94
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1

替代型号

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