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GermanySQ3469EV-T1_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQ3469EV-T1_GE3
摘要
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 8A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
36 毫欧 @ 6.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1020 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
SQ3469
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SQ3469EV-T1_GE3CT
SQ3469EV-T1_GE3TR
SQ3469EV-T1_GE3DKR
SQ3469EV-T1-GE3-ND
SQ3469EV-T1-GE3
SQ3469EV-T1_GE3-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQ3469EV-T1_GE3
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规格书
1(SQ3469EV)
PCN 组装/来源
1(SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014)
PCN 零件编号
1(New Ordering Code 19/Mar/2015)
HTML 规格书
1(SQ3469EV)
价格
数量: 3000
单价: $2.10847
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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