元器件型号详细信息

原厂型号
1N5407G A0G
摘要
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
详情
二极管 800 V 3A 通孔 DO-201AD
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
剪切带(CT)
产品状态
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
800 V
电流 - 平均整流 (Io)
3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 3 A
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容
25pF @ 4V,1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-201AD,轴向
供应商器件封装
DO-201AD
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
1N5407

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

1N5407G A0GTB-ND
1N5407G A0GCT
1N5407G A0GTB
1N5407G A0GCT-ND
1N5407GA0GCT
1N5407GA0GTB

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Taiwan Semiconductor Corporation 1N5407G A0G

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规格书
1(1N5400G - 1N5408G)
环保信息
()
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg/PN Chgs 4/Feb/2021)
HTML 规格书
1(1N5400G - 1N5408G)

价格

数量: 3000
单价: $2.13336
包装: 带盒(TB)
最小包装数量: 3000
数量: 1
单价: $5.33
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1

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