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GermanyIGB30N60H3ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IGB30N60H3ATMA1
摘要
IGBT 600V 60A 187W TO263-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 187 W 表面贴装型 PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
60 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.4V @ 15V，30A
功率 - 最大值
187 W
开关能量
1.17mJ
输入类型
标准
栅极电荷
165 nC
25°C 时 Td（开/关）值
18ns/207ns
测试条件
400V，30A，10.5 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
基本产品编号
IGB30
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IGB30N60H3-ND
IGB30N60H3CT
IGB30N60H3TR-ND
IGB30N60H3ATMA1CT
IGB30N60H3
IGB30N60H3ATMA1DKR
IGB30N60H3DKR-ND
IGB30N60H3CT-ND
IGB30N60H3DKR
IGB30N60H3ATMA1TR
SP000852240
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1
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规格书
1(IGB30N60H3)
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1(Part Number Guide)
PCN 设计/规格
1(Datasheet Update 03/Jun/2014)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Lot No Add 11/Jan/2022)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IGB30N60H3)
价格
数量: 5000
单价: $11.88342
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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数量: 2000
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最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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替代型号
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