English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPP065N03LGXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP065N03LGXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
详情
通孔 N 通道 30 V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO220-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2400 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
56W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP065N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP065N03L G
IPP065N03LGXK
IPP065N03LGIN
SP000680818
INFINFIPP065N03LGXKSA1
2156-IPP065N03LGXKSA1-IT
SP000254736
IPP065N03LG
IPP065N03LGIN-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP065N03LGXKSA1
相关文档
规格书
1(IP(B,P)065N03L G)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 28/Feb/2014)
HTML 规格书
1(IP(B,P)065N03L G)
EDA 模型
1(IPP065N03LGXKSA1 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : IRLB8721PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥9.06000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥9.06000
替代类型. : 类似
型号 : IRL3803PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,635
单价. : ¥19.56000
替代类型. : 类似
库存 : 3,635
单价. : ¥19.56000
替代类型. : 类似
型号 : IRF610LPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥6.76573
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥6.76573
替代类型. : 类似
型号 : STP90NF03L
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 245
单价. : ¥14.71000
替代类型. : 类似
库存 : 245
单价. : ¥14.71000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN4R3-30PL,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,043
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似
库存 : 2,043
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似
型号 : FDP8896
制造商 : onsemi
库存 : 76
单价. : ¥12.16000
替代类型. : 类似
库存 : 76
单价. : ¥12.16000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN2R0-30PL,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥20.43000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥20.43000
替代类型. : 类似