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GermanyNTP65N02RG
元器件型号详细信息
原厂型号
NTP65N02RG
摘要
MOSFET N-CH 25V 7.6A/58A TO220AB
详情
通孔 N 通道 25 V 7.6A（Ta），58A（Tc） 1.04W（Ta），62.5W（Tc） TO-220
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.6A（Ta），58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1330 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.04W（Ta），62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
NTP65N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTP65N02RGOS
ONSONSNTP65N02RG
2156-NTP65N02RG-ON
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTP65N02RG
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规格书
1(NTB,NTP65N02R)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 01/Jul/2009)
HTML 规格书
1(NTB,NTP65N02R)
EDA 模型
1(NTP65N02RG by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-