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GermanyBZT55B3V6 L1G
元器件型号详细信息
原厂型号
BZT55B3V6 L1G
摘要
DIODE ZENER 3.6V 500MW MINI MELF
详情
二极管 - 齐纳 3.6 V 500 mW ±2% 表面贴装型 迷你型 MELF
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
3.6 V
容差
±2%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
85 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
2 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 10 mA
工作温度
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
供应商器件封装
迷你型 MELF
基本产品编号
BZT55
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
BZT55B3V6L1G
BZT55B3V6 L1G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V6 L1G
相关文档
规格书
1(BZT55B2V4 - BZT55B75)
环保信息
()
EDA 模型
1(BZT55B3V6 L1G by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : TZS4685-GS08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 12,330
单价. : ¥2.46000
替代类型. : 类似
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型号 : BZT55C3V6-GS18
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 9,635
单价. : ¥1.67000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥1.67000
替代类型. : 类似
型号 : TZS4686-GS08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 13,197
单价. : ¥2.46000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥2.46000
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型号 : BZT55B3V9-GS08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 7,077
单价. : ¥2.54000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥2.54000
替代类型. : 类似
型号 : BZT55C3V9-GS08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 6,980
单价. : ¥1.67000
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单价. : ¥1.67000
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型号 : BZT55C3V6-GS08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 2,334
单价. : ¥1.67000
替代类型. : 类似
库存 : 2,334
单价. : ¥1.67000
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