IPN80R2K0P7ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPN80R2K0P7ATMA1

摘要

MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223

详情

表面贴装型 N 通道 800 V 3A（Tc） 6W（Tc） PG-SOT223

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

39 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ P7

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2 欧姆 @ 940mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

175 pF @ 500 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

6W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT223

封装/外壳

TO-261-4，TO-261AA

基本产品编号

IPN80R2

其它名称

IPN80R2K0P7ATMA1CT

IPN80R2K0P7ATMA1DKR

SP001664996

IPN80R2K0P7ATMA1-ND

IPN80R2K0P7ATMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPN80R2K0P7ATMA1

价格

数量: 15000

单价: $3.12099
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 6000

单价: $3.24291
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 3000

单价: $3.41358
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $3.65743
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.63272
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.6079
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $7.195
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $8.03
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.65743
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.63272
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.6079
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $7.195
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $8.03
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

CRCW08051K47FKTA 1598RBBK 2211YA250391KCRSP 396-084-560-858 HW-17-20-S-D-200-055

IPN80R2K0P7ATMA1

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