IRFB4110PBF

元器件型号详细信息

原厂型号

IRFB4110PBF

摘要

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

详情

通孔 N 通道 100 V 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

18 周

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4.5 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

210 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

9620 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

370W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IRFB4110

其它名称

64-0076PBF-ND

448-IRFB4110PBF

64-0076PBF

SP001570598

IRFB4110PBF-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFB4110PBF

价格

数量: 2000

单价: $19.02638
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $20.02771
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $23.74716
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $27.8959
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $34.048
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $37.92
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPP048N12N3GXKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,920
单价. : ¥38.08000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN027-100PS,127

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 16,535
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN016-100PS,127

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 1,403
单价. : ¥17.01000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN9R5-100PS,127

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,000
单价. : ¥23.29000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN013-100PS,127

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 5,105
单价. : ¥18.52000
替代类型. : 类似

型号 : DMTH10H005SCT

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥20.75000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN015-100P,127

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,189
单价. : ¥20.19000
替代类型. : 类似

357-060-559-207 D38999/26JH55SB MTSW-116-12-G-T-866 325043-19-0 GZ1608U600CTF

IRFB4110PBF

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