元器件型号详细信息

原厂型号
IRL40S212
摘要
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 195A(Tc) 231W(Tc) PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
StrongIRFET™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
137 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8320 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
231W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IRL40

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IRL40S212DKR-ND
IRL40S212CT
IRL40S212CT-ND
IRL40S212TR-ND
IRL40S212TRINACTIVE
IRL40S212DKRINACTIVE
SP001568454
IRL40S212TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRL40S212

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规格书
1(IRL40B212, IRL40S212)
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(IRL40S212 EOL 6/Oct/2020)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(IRyyy Dev Wafer Fab Chg 6/Jun/2017)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016)
HTML 规格书
1(IRL40B212, IRL40S212)
仿真模型
1(IRL40S212 Saber File)

价格

-

替代型号

型号 : IRL40S212ARMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥9.49066
替代类型. : 直接
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 5,990
单价. : ¥36.73000
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制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 800
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型号 : NP109N04PUG-E1-AY
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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型号 : AOB240L
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库存 : 4,958
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制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥27.27000
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