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GermanyAPTGT200A602G
元器件型号详细信息
原厂型号
APTGT200A602G
摘要
IGBT MODULE 600V 290A 625W SP2
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 600 V 290 A 625 W 底座安装 SP2
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
散装
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
290 A
功率 - 最大值
625 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）
50 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
12.3 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP2
供应商器件封装
SP2
基本产品编号
APTGT200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
150-APTGT200A602G
APTGT200A602G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Microsemi Corporation APTGT200A602G
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环保信息
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价格
-
替代型号
-