English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPP04CN10NGXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP04CN10NGXKSA1
摘要
MV POWER MOS
详情
通孔 N 通道 100 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™ 2
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
210 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13800 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP04CN10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IPP04CN10NGXKSA1
IPP04CN10NGXKSA1-ND
SP000680796
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP04CN10NGXKSA1
相关文档
规格书
1(IPx04CN10N G)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T 26/Apr/2021)
HTML 规格书
1(IPx04CN10N G)
价格
数量: 500
单价: $29.76554
包装: 管件
最小包装数量: 500
包装: 管件
最小包装数量: 500
替代型号
-