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GermanyNP50P06SDG-E1-AY
元器件型号详细信息
原厂型号
NP50P06SDG-E1-AY
摘要
MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 50A（Tc） 1.2W（Ta），84W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5000 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta），84W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252（MP-3ZK）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
559-NP50P06SDG-E1-AYTR
559-NP50P06SDG-E1-AYDKR
559-NP50P06SDG-E1-AYCT
NP50P06SDG-E1-AY-ND
-1161-NP50P06SDG-E1-AYCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc NP50P06SDG-E1-AY
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价格
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