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GermanySTP21NM60ND
元器件型号详细信息
原厂型号
STP21NM60ND
摘要
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
详情
通孔 N 通道 600 V 17A（Tc） 140W（Tc） TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
FDmesh™ II
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
220 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
140W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP21N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-8444-5
1026-STP21NM60ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STP21NM60ND
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规格书
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产品培训模块
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 17/Oct/2018)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013)
EDA 模型
()
价格
-
替代型号
型号 : STW21NM60ND
制造商 : STMicroelectronics
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型号 : FCP13N60N
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库存 : 747
单价. : ¥36.01000
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单价. : ¥36.01000
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型号 : IXKP13N60C5
制造商 : IXYS
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单价. : ¥0.00000
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库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似